AI 記憶體熱潮持續狂飆，美光科技 (MU.US) 週二 (26 日) 首度叩關 1 兆美元市值，不只點燃半導體族群漲勢，更帶動記憶體股與相關 ETF 集體噴發，讓這場由高頻寬記憶體 (HBM) 引爆的記憶體大戰再度升溫。
瑞銀 (UBS) 最新報告中指出，AI 正改寫整個記憶體產業規則。隨著長約供貨模式增加，未來約三成 DDR 記憶體產品可能透過長期合約鎖定價格，讓過去高度循環的記憶體產業逐步走向新模式。
瑞銀大幅調升美光目標價，從原先 535 美元一口氣拉高至 1,625 美元，重申「買進」評等，不僅創下華爾街最高目標價，也意味美光未來 12 個月仍有逾一倍上行空間。
以此推算，美光市值有望進一步膨脹至約 1.8 兆美元。若達成該目標，美光市值將超越 Meta Platforms (META.US) 、特斯拉 (TSLA.US) ，甚至高於波克夏海瑟威 (BRK.B.US) 目前規模。
市場資金也迅速做出反應。美光週二股價大漲 19.29%，收在 895.88 美元，創下 2011 年 11 月以來最大單日漲幅，收盤市值正式站上 1.01 兆美元。
這波漲勢也讓美光躍居標普 500 指數當日最強個股。統計顯示，美光過去一年市值已暴增約 840%，股價漲幅超過 700%，成為近年美股最強 AI 概念股之一。
市場焦點也落在今年 4 月才成立的 Roundhill Memory ETF (DRAM.US) 。
該 ETF 週二再度大漲逾 14%，延續近兩個月幾乎沒有降溫的強勢走勢。
這檔 ETF 主要布局記憶體與儲存產業鏈，成分股涵蓋美光科技 (MU.US) 、三星電子 (005930-KR)、希捷科技 (STX.US) 與 Sandisk (SNDK.US) 等企業。
根據 FactSet 數據，DRAM ETF 本月以來已飆漲超過 50%，自 4 月成立以來累計漲幅更高達 119%，成為近期市場最強勢主題 ETF 之一。
值得注意的是，美國總統川普上週在紐約州造勢活動中也特別點名美光，直言：「美光很棒，他們正在投資數千億美元。」
而這番談話背後，正是美光近年積極推動的美國製造大計畫。
美光先前宣布，未來 20 年將投入最高 1,000 億美元，在紐約州克雷 (Clay) 打造美國最大半導體工廠，項目已於今年動工，預計 2030 年投產。
若加計研發與其他布局，美光整體美國投資計畫總額已提高至 2,000 億美元，全力擴張記憶體製造與研發能力。
而這場擴產背後，其實也是一場記憶體霸權之戰。
隨著 AI 伺服器、高頻寬記憶體與資料中心需求全面爆發，美光正與南韓兩大記憶體巨頭 SK 海力士、三星電子正面交鋒。受記憶體熱潮帶動，SK 海力士週二上漲 5.7%，三星電子也上漲 2.2%。
(美股為即時串流報價； OTC市場股票除外，資料延遲最少15分鐘。)新聞來源 (不包括新聞圖片): 鉅亨網